film thickness to 34 nm is beneficial torelieve pattern collapse, a few bridging patterns still exist at athinner film[34 nm, Fig.5(B)].
30nm半间距下,34nm膜厚的光刻胶未发生图案坍塌,但有少量桥接
film thickness to 34 nm is beneficial torelieve pattern collapse, a few bridging patterns still exist at athinner film[34 nm, Fig.5(B)].
30nm半间距下,34nm膜厚的光刻胶未发生图案坍塌,但有少量桥接
30 nm line/spacepattern[Fig.5(A, B)]. An obvious pattern collapse and bridgingwere observed in the case of 47 nm thickness[F
30nm半间距下,47nm膜厚的光刻胶发生桥接和图案坍塌
ERincreased from 4.0 nm to 5.4 nm and the pattern profilesbecame poor when film thickness decreased from 47 nm[Fig.5(C)] to 34 nm
膜厚变薄,LER变大
Bridgingpatterns are observed when the exposure dose is less than 70μC/cm 2
发生桥接现象的曝光剂量
roomtemperature.
显影温度
60 s
显影时间
a 0.26 mol/L tetramethylammoniumhydroxide(TMAH)
显影液1
后烘时间
后烘温度
基底
碱性中和剂用量
碱性中和剂
光酸用量
Triphenylsulfoniumperfluoro-1-butanesufonate(
光酸
固含量
溶剂1
结构1
单体比例
曝光剂量
固含量
溶剂
接触角测试条件
树脂2
树脂1
接触角2
接触角1
树脂2
树脂1
结构3
结构2
结构1
配方3接触角3
配方2接触角2
配方1接触角1
顶涂5接触角5
顶涂4接触角4
顶涂3接触角3
顶涂2接触角2
顶涂1接触角1
结构3
结构1
结构4
结构2
树脂3结构
树脂4结构
树脂2结构
树脂1结构
树脂4 接触角4
树脂3 接触角3
树脂2 接触角2
树脂1 接触角1
SCAP-1 res
树脂1
树脂1结构
TOA a
碱性中和剂
MEA at a
溶剂1
光酸1
树脂2结构
特征尺寸和临界应力数据 可转换为临界尺寸数据